Infineon Technologies IR2112STRPBF
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IR2112STRPBF
1211-IR2112STRPBF
PMIC - 栅极驱动器
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
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IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
--最小包装量--
IR2112STRPBF详情
Infineon Technologies IR2112STRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
表面安装
YES
Driver Configuration
High-Side or Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
6V 9.5V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IR2112SPBF
JESD-30代码
R-PDSO-G16
资历状况
不合格
电源
15V
输入类型
Non-Inverting
上升/下降时间(Typ)
80ns 40ns
接口IC类型
基于半桥的mosfet驱动器
信道型
Independent
驱动器数量
2
接通时间
0.18 µs
输出峰值电流限制-名
0.5A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
高边驱动器
YES
关断时间
0.16 µs
高压侧电压-最大值(自举)
600V
长度
10.3mm
宽度
7.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IR2112STRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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