IR2130STR
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Infineon Technologies IR2130STR

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型号

IR2130STR

utmel 编号

1211-IR2130STR

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

起订量

--最小包装量--

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IR2130STR Infineon Technologies IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

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IR2130STR详情

Infineon Technologies IR2130STR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

  • 引脚数

    28

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • Logic voltage-VIL, VIH

    0.8V 2.2V

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    28

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 电源电压

    15V

  • 端子间距

    1.27mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    IR2130S

  • 输出的数量

    3

  • 资历状况

    不合格

  • 最大输出电流

    500mA

  • 工作电源电压

    15V

  • 功率耗散

    1.6W

  • 传播延迟

    850 ns

  • 输入类型

    Inverting

  • 接通延迟时间

    850 ps

  • 上升时间

    125ns

  • 下降时间(典型值)

    55 ns

  • 上升/下降时间(Typ)

    80ns 35ns

  • 信道型

    3-Phase

  • 驱动器数量

    6

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    250mA 500mA

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

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IR2130STR拓展信息

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