Infineon Technologies IRF3610STRLPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

103A Tc

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

333W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.6m Ω @ 62A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

连续放电电流(ID)

103A

漏极-源极导通最大电阻

0.0116Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

410A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

460 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant