Infineon Technologies IRF3707ZCSPBF
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IRF3707ZCSPBF
1211-IRF3707ZCSPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
1最小包装量--
IRF3707ZCSPBF详情
Infineon Technologies IRF3707ZCSPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
59A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
57W Tc
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
12.5MOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
59A
元素配置
Single
功率耗散
57W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.5mOhm @ 21A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1210pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
上升时间
41ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.6 ns
连续放电电流(ID)
59A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
1.21nF
漏源电阻
12.5mOhm
最大rds
9.5 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF3707ZCSPBF拓展信息
Infineon Technologies
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