Infineon Technologies IRF3709SPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 120W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2001

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

9MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

90A

元素配置

Single

功率耗散

120W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2672pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 5V

上升时间

171ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.2 ns

连续放电电流(ID)

90A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

2.672nF

漏源电阻

10.5mOhm

最大rds

9 mΩ

栅源电压

3 V

高度

4.826mm

长度

10.668mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅