Infineon Technologies IRF5802

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

2W Ta

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 540mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

88pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.9A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7A

DS 击穿电压-最小值

150V

雪崩能量等级（Eas）

9.5 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant