Infineon Technologies IRF5805TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

98m Ω @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

511pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant