Infineon Technologies IRF5806TRPBF

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

94 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

86MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6.2 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

86m Ω @ 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

594pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.4nC @ 4.5V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

126 ns

连续放电电流(ID)

-4A

阈值电压

-1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

-20V

双电源电压

-20V

栅源电压

-1.2 V

高度

1mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅