Infineon Technologies IRF60DM206
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IRF60DM206
1211-IRF60DM206
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
DirectFET™ Isometric ME
大陆
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MOSFET N-CH 60V 130A
--最小包装量--
IRF60DM206详情
Infineon Technologies IRF60DM206重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DirectFET™ Isometric ME
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
96W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.9m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6530pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
200nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
130A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF60DM206拓展信息
Infineon Technologies
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