Infineon Technologies IRF6602

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MQ

供应商器件包装

DIRECTFET™ MQ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta 48A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 42W Tc

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

13mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1420pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant