Infineon Technologies IRF6610TRPBF
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IRF6610TRPBF
1211-IRF6610TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
DirectFET™ Isometric SQ
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MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
--最小包装量--
IRF6610TRPBF详情
Infineon Technologies IRF6610TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DirectFET™ Isometric SQ
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Ta 66A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.2W Ta 42W Tc
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
20V
额定电流
15A
功率耗散
42W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.8m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.55V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1520pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
12A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF6610TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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