Infineon Technologies IRF6613TR1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MT

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Ta 150A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4m Ω @ 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5950pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant