Infineon Technologies IRF6622TR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

引脚数

5

供应商器件包装

DIRECTFET™ SQ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta 59A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 34W Tc

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

6.3MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

25V

额定电流

15A

功率耗散

34W

接通延迟时间

9.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.3mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1450pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.6 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

输入电容

1.45nF

漏源电阻

8.9mOhm

最大rds

6.3 mΩ

栅源电压

1.8 V

高度

506μm

长度

4.826mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅