Infineon Technologies IRF6633ATRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MU

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 69A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

8.4 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

42W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1410pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

13ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7.7 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

69A

漏极-源极导通最大电阻

0.0056Ohm

漏源击穿电压

20V

雪崩能量等级（Eas）

65 mJ

高度

700μm

长度

6.35mm

宽度

5.05mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准