Infineon Technologies IRF6665TR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SH

引脚数

5

供应商器件包装

DIRECTFET™ SH

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A Ta 19A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

62MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

100V

额定电流

4.2A

元素配置

Single

功率耗散

42W

接通延迟时间

7.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

62mOhm @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

2.8ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.3 ns

连续放电电流(ID)

3.4A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

输入电容

530pF

漏源电阻

62mOhm

最大rds

62 mΩ

栅源电压

3 V

高度

506μm

长度

4.826mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅