Infineon Technologies IRF6668TR1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MZ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

15m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1320pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant