Infineon Technologies IRF6717MTR1PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Ta 200A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 96W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

系列

HEXFET®

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.25MOhm

端子表面处理

哑光锡

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-XBCC-N3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

96W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.25m Ω @ 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6750pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

69nC @ 4.5V

上升时间

37ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

38A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

双电源电压

25V

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

恢复时间

41 ns

栅源电压

1.8 V

高度

533.4μm

长度

5.45mm

宽度

5.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅