Infineon Technologies IRF6725MTR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

引脚数

7

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Ta 170A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 100W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.2MOhm

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2m Ω @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4700pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54nC @ 4.5V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

28A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

恢复时间

41 ns

栅源电压

1.8 V

高度

506μm

长度

6.35mm

宽度

5.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅