Infineon Technologies IRF6810STRPBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric S1

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 20W Tc

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.2m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1038pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

4.8 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏极-源极导通最大电阻

0.0052Ohm

漏源击穿电压

25V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant