IRF7413QTRPBF
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Infineon Technologies IRF7413QTRPBF

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型号

IRF7413QTRPBF

utmel 编号

1211-IRF7413QTRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

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IRF7413QTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

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IRF7413QTRPBF详情

Infineon Technologies IRF7413QTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-SO

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    13A Ta

  • Turn Off Delay Time

    52 ns

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    2.5W

  • 功率耗散

    2.5W

  • 接通延迟时间

    8.6 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11mOhm @ 7.3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1800pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    79nC @ 10V

  • 上升时间

    50ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 下降时间(典型值)

    46 ns

  • 连续放电电流(ID)

    13A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 输入电容

    1.8nF

  • 漏源电阻

    18mOhm

  • 最大rds

    11 mΩ

  • 高度

    1.4986mm

  • 长度

    4.9784mm

  • 宽度

    3.9878mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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