IRF7424TRPBF
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Infineon Technologies IRF7424TRPBF

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型号

IRF7424TRPBF

utmel 编号

1211-IRF7424TRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

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IRF7424TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

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IRF7424TRPBF详情

Infineon Technologies IRF7424TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    11A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W Ta

  • Turn Off Delay Time

    150 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2004

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    13.5MOhm

  • 电压 - 额定直流

    -30V

  • 额定电流

    -11A

  • 行间距

    6.3 mm

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    2.5W

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    13.5m Ω @ 11A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4030pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    110nC @ 10V

  • 上升时间

    23ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 正向电压

    -1.2V

  • 下降时间(典型值)

    76 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -11A

  • 阈值电压

    -2.5V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 双电源电压

    -30V

  • 恢复时间

    60 ns

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 栅源电压

    -2.5 V

  • 高度

    1.75mm

  • 长度

    4.9784mm

  • 宽度

    4.05mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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