Infineon Technologies IRF7460TRPBF

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

系列

HEXFET®

已出版

2004

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

12A

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2050pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 4.5V

上升时间

6.9ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

输入电容

2.05nF

漏源电阻

14mOhm

最大rds

10 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅