Infineon Technologies IRF7468PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

15.5MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

40V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

9.4A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

7.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.5m Ω @ 9.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2460pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 4.5V

上升时间

2.3ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

3.8 ns

连续放电电流(ID)

9.4A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75A

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅