Infineon Technologies IRF7701

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 10A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5050pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant