Infineon Technologies IRF7726TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

227 ns

Power Dissipation (Max)

1.79W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta

已出版

2000

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

26mOhm

附加功能

超低电阻

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-7A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.79W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2204pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

69nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

107 ns

连续放电电流(ID)

-7A

阈值电压

-2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

-30V

栅源电压

-2.5 V

宽度

3.048mm

长度

3.048mm

高度

910μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free