Infineon Technologies IRF7805QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta

Turn Off Delay Time

38 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.5W

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 5V

上升时间

20ns

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅