Infineon Technologies IRF9333PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19.4m Ω @ 9.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1110pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

44ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

49 ns

连续放电电流(ID)

-9.2A

阈值电压

-1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75A

恢复时间

36 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-1.8 V

高度

1.75mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant