Infineon Technologies IRFB3256PBF
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IRFB3256PBF
1211-IRFB3256PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
--最小包装量--
IRFB3256PBF详情
Infineon Technologies IRFB3256PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
55 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
Single
通道数量
1
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.4m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6600pF @ 48V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
195nC @ 10V
上升时间
77ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
64 ns
连续放电电流(ID)
75A
栅极至源极电压(Vgs)
4V
漏源击穿电压
60V
高度
9.02mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFB3256PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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