Infineon Technologies IRFB3306GPBF

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

230W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

230W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4520pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

76ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

77 ns

连续放电电流(ID)

160A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0042Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

620A

栅源电压

4 V

高度

16.51mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant