Infineon Technologies IRFB4510GPBF

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

62A Tc

系列

HEXFET®

已出版

2012

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

140W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.5mOhm @ 37A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3180pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

62A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

输入电容

3.18nF

最大rds

13.5 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准