Infineon Technologies IRFH5250TR2PBF
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IRFH5250TR2PBF
1211-IRFH5250TR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
--最小包装量--
IRFH5250TR2PBF详情
Infineon Technologies IRFH5250TR2PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
8-PQFN (5x6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
45A Ta 100A Tc
Turn Off Delay Time
30 ns
包装
Digi-Reel®
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
3.6W
功率耗散
3.6W
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.15mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7174pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
上升时间
46ns
漏源电压 (Vdss)
25V
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
25V
双电源电压
25V
输入电容
2.93nF
恢复时间
41 ns
漏源电阻
1.75mOhm
最大rds
1.15 mΩ
栅源电压
1.8 V
高度
838.2μm
长度
5.9944mm
宽度
5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFH5250TR2PBF拓展信息
Infineon Technologies
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