Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

供应商器件包装

8-PQFN (5x6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A Ta 100A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

140 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

1.2MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.6W

元素配置

Single

功率耗散

156W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10890pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

230nC @ 4.5V

上升时间

74ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

160 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

输入电容

10.89nF

恢复时间

130 ns

漏源电阻

1.2mOhm

最大rds

950 μΩ

栅源电压

800 mV

高度

838.2μm

长度

5.9944mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅