Infineon Technologies IRFHS8242TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-PowerVDFN

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.9A Ta 21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta

Turn Off Delay Time

5.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

13MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13m Ω @ 8.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

653pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.4nC @ 10V

上升时间

19ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.3 ns

连续放电电流(ID)

9.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.5A

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84A

栅源电压

1.8 V

高度

950μm

长度

2.1mm

宽度

2.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅