Infineon Technologies IRFI4410ZPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

43A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

47W Tc

Turn Off Delay Time

43 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

47W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.3m Ω @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4910pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

43A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

170A

高度

9.8044mm

长度

10.7442mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅