Infineon Technologies IRFP2907PBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

209A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

470W Tc

Turn Off Delay Time

130 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.5MOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

75V

额定电流

209A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

470W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 125A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

620nC @ 10V

上升时间

190ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

130 ns

连续放电电流(ID)

209A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

90A

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

840A

双电源电压

75V

恢复时间

210 ns

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

4 V

高度

24.99mm

长度

15.87mm

宽度

5.3086mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free