Infineon Technologies IRFP7530PBF
- 收藏
- 对比
IRFP7530PBF
1211-IRFP7530PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

MOSFET N CH 60V 195A TO247
--最小包装量--
IRFP7530PBF详情
Infineon Technologies IRFP7530PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
195A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
341W Tc
Turn Off Delay Time
172 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
341W
接通延迟时间
52 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13703pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
411nC @ 10V
上升时间
141ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
104 ns
连续放电电流(ID)
195A
阈值电压
3.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.31mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFP7530PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。