Infineon Technologies IRFR120NTRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

48W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1998

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

210mOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

100V

额定电流

9.1A

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

39W

接通延迟时间

4.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

210mOhm @ 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

9.4A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

输入电容

330pF

恢复时间

150 ns

最大结点温度（Tj）

175°C

漏源电阻

210mOhm

最大rds

210 mΩ

栅源电压

4 V

高度

2.52mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅