Infineon Technologies IRFR18N15DTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

125mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

电压 - 额定直流

150V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

18A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

9.8 ns

连续放电电流(ID)

18A

阈值电压

5.5V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

双电源电压

150V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

栅源电压

5.5 V

高度

2.3876mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free