Infineon Technologies IRFR18N15DTRR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

110W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant