Infineon Technologies IRFR18N15DTRRP

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5.5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 11A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±30V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant