Infineon Technologies IRFR3504PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

9.2mOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

额定电流

87A

元素配置

Single

功率耗散

140W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.2mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2150pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

71nC @ 10V

上升时间

53ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

87A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

双电源电压

40V

输入电容

2.15nF

漏源电阻

7.8mOhm

最大rds

9.2 mΩ

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅