IRFR3504TRPBF
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Infineon Technologies IRFR3504TRPBF

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型号

IRFR3504TRPBF

utmel 编号

1211-IRFR3504TRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 40V 30A DPAK

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IRFR3504TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 30A DPAK

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IRFR3504TRPBF详情

Infineon Technologies IRFR3504TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    D-Pak

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    30A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    140W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    140W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9.2mOhm @ 30A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2150pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    71nC @ 10V

  • 上升时间

    53ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    22 ns

  • 连续放电电流(ID)

    87A

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 输入电容

    2.15nF

  • 漏源电阻

    9.2mOhm

  • 最大rds

    9.2 mΩ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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