Infineon Technologies IRFR3704ZPBF

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

48W Tc

Turn Off Delay Time

4.9 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

20V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

60A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

41 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.55V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

上升时间

8.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

2.1V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0084Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

恢复时间

19 ns

高度

2.26mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅