Infineon Technologies IRFR3711PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 120W Tc

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

电压 - 额定直流

20V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

额定电流

110A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

120W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2980pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 4.5V

上升时间

220ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

110A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0065Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

440A

雪崩能量等级（Eas）

460 mJ

栅源电压

3 V

高度

2.3876mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅