Infineon Technologies IRFR4510PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

143W Tc

Turn Off Delay Time

42 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

143W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.9m Ω @ 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3031pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

81nC @ 10V

上升时间

42ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

34 ns

连续放电电流(ID)

56A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

252A

栅源电压

3 V

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant