Infineon Technologies IRFS33N15DPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 170W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

56mOhm

电压 - 额定直流

150V

额定电流

33A

元素配置

Single

功率耗散

3.8W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

56m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2020pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

90nC @ 10V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

33A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

150V

高度

4.699mm

长度

10.668mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅