注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.085976
10
¥16.118845
100
¥15.206458
500
¥14.345715
1000
¥13.533693
Infineon Technologies IRFS4020TRLPBF
- 收藏
- 对比
IRFS4020TRLPBF
1211-IRFS4020TRLPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFS4020TRLPBF详情
Infineon Technologies IRFS4020TRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
16 ns
Power Dissipation (Max)
100W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Tc
已出版
2009
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
100W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
105m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.9V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1200pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.3 ns
连续放电电流(ID)
18A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
52A
雪崩能量等级(Eas)
94 mJ
宽度
9.652mm
长度
10.668mm
高度
4.572mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
IRFS4020TRLPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。