Infineon Technologies IRFU2307ZPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

供应商器件包装

IPAK (TO-251)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

44 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

110W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

16mOhm @ 32A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2190pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 10V

上升时间

65ns

漏源电压 (Vdss)

75V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

29 ns

反向恢复时间

31 ns

连续放电电流(ID)

53A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

75V

双电源电压

75V

输入电容

2.19nF

恢复时间

47 ns

漏源电阻

16mOhm

最大rds

16 mΩ

栅源电压

4 V

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准