Infineon Technologies IRFZ34EPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

68W Tc

Turn Off Delay Time

5.1 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

42mOhm

电压 - 额定直流

60V

额定电流

28A

螺纹距离

2.54mm

元素配置

Single

功率耗散

68W

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

42m Ω @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

680pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

28A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

栅源电压

4 V

高度

8.77mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅