Infineon Technologies IRFZ48ZLPBF
- 收藏
- 对比
IRFZ48ZLPBF
1211-IRFZ48ZLPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 55V 61A TO-262
1最小包装量--
IRFZ48ZLPBF详情
Infineon Technologies IRFZ48ZLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
TO-262
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
61A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
91W Tc
Turn Off Delay Time
35 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
55V
额定电流
61A
功率耗散
91W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11mOhm @ 37A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1720pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
69ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
61A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
输入电容
1.72nF
最大rds
11 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFZ48ZLPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。